、冲丝、开裂、溢料、粘模等进行分析与研究，并提出行之有效的解决办法与对策。
塑料封装以其独特的优势而成为当前微电子封装的主流，约占封装市场的95％以上。塑封产品的广泛应用，也为塑料封装带来了前所未有的发展，但是几乎所有的塑封产品成形缺陷问题总是普遍存在的，也无论是采用先进的传递模注封装，还是采用传统的单注塑模封装，都是无法完全避免的。相比较而言，传统塑封模成形缺陷几率较大，种类也较多，尺寸越大，发生的几率也越大。
A、EMC的性能，主要包括胶化时间、黏度、流动性、脱模性、粘接性、耐湿性、耐热性、溢料性、应力、强度、模量等；
B、模具，主要包括浇道、浇口、型腔、排气口设计与引线框架设计的匹配程度等；
C、封装形式，不同的封装形式往往会出现不同的缺陷，所以优化封装形式的设计，会大大减少不良缺陷的发生；
D、工艺参数，主要包括合模压力、注塑压力、注塑速度、预热温度、模具温度、固化时间等。
下面主要对在塑封成形中常见的缺陷问题产生的原因进行分析研究，并提出相应有效可行的解决办法与对策。
封装成形未充填现象主要有两种情况：一种是有趋向性的未充填，主要是由于封装工艺与EMC的性能参数不匹配造成的；一种是随机性的未充填，主要是由于模具清洗不当、EMC中不溶性杂质太大、模具进料口太小等原因，引起模具浇口堵塞而造成的。从封装形式上看，在DIP和QFP中比较容易出现未充填现象，而从外形上看，DIP未充填主要表现为完全未充填和部分未充填，QFP主要存在角部未充填。未充填的主要原因及其对策：
（1）由于模具温度过高，或者说封装工艺与EMC的性能参数不匹配而引起的有趋向性的未充填。预热后的EMC在高温下反应速度加快，致使EMC的胶化时间相对变短，流动性变差，在型腔还未完全充满时，EMC的黏度便会急剧上升，流动阻力也变大，以至于未能得到良好的充填，从而形成有趋向性的未充填。在VLSI封装中比较容易出现这种现象，因为这些大规模电路每模EMC的用量往往比较大，为使在短时间内达到均匀受热的效果，其设定的温度往往也比较高，所以容易产生这种未充填现象。） 对于这种有趋向性的未充填主要是由于EMC流动性不充分而引起的，可以采用提高EMC的预热温度，使其均匀受热；增加注塑压力和速度，使EMC的流速加快；降低模具温度，以减缓反应速度，相对延长EMC的胶化时间，从而达到充分填充的效果。
（2）由于模具浇口堵塞，致使EMC无法有效注入，以及由于模具清洗不当造成排气孔堵塞，也会引起未充填，而且这种未充填在模具中的位置也是毫无规律的。特别是在小型封装中，由于浇口、排气口相对较小，所以最容易引起堵塞而产生未充填现象。对于这种未充填，可以用工具清除堵塞物，并涂上少量的脱模剂，并且在每模封装后，都要用＊＊和刷子将料筒和模具上的EMC固化料清除干净。
（3）虽然封装工艺与EMC的性能参数匹配良好，但是由于保管不当或者过期，致使EMC的流动性下降，黏度太大或者胶化时间太短，均会引起填充不良。其解决办法主要是选择具有合适的黏度和胶化时间的EMC，并按照EMC的储存和使用要求妥善保管。 （4）由于EMC用量不够而引起的未充填，这种情况一般出现在更换EMC、封装类型或者更换模具的时候，其解决办法也比较简单，只要选择与封装类型和模具相匹配的EMC用量，即可解决，但是用量不宜过多或者过少。
在封装成形的过程中，气孔是最常见的缺陷。根据气孔在塑封体上产生的部位可以分为内部气孔和外部气孔，而外部气孔又可以分为顶端气孔和浇口气孔。气孔不仅严重影响塑封体的外观，而且直接影响塑封器件的可靠性，尤其是内部气孔更应重视。常见的气孔主要是外部气孔，内部气孔无法直接看到，必须通过X射线仪才能观察到，而且较小的内部气孔Bp使通过x射线也看不清楚，这也为克服气孔缺陷带来很大困难。那么，要解决气孔缺陷问题，必须仔细研究各类气孔形成的过程。但是严格来说，气孔无法完全消除，只能多方面采取措施来改善，把气孔缺陷控制在良品范围之内。
从气孔的表面来看，形成的原因似乎很简单，只是型腔内有残余气体没有有效排出而形成的。事实上，引起气孔缺陷的因素很多，主要表现在以下几个方面：
A、封装材料方面，主要包括EMC的胶化时间、黏度、流动性、挥发物含量、水分含量、空气含量、料饼密度、料饼直径与料简直径不相匹配等；
B、模具方面，与料筒的形状、型腔的形状和排列、浇口和排气口的形状与位置等有关； C、封装工艺方面，主要与预热温度、模具温度、注塑速度、注塑压力、注塑时间等有关。 在封装成形的过程中，顶端气孔、浇口气孔和内部气孔产生的主要原因及其对策：
（1）、顶端气孔的形成主要有两种情况，一种是由于各种因素使EMC黏度急剧－上升，致使注塑压力无法有效传递到顶端，以至于顶端残留的气体无法排出而造成气孔缺陷；一种是EMC的流动速度太慢，以至于型腔没有完全充满就开始发生固化交联反应，这样也会形成气孔缺陷。解决这种缺陷最有效的方法就是增加注塑速度，适当调整预热温度也会有些改善。
（2）、浇口气孔产生的主要原因是EMC在模具中的流动速度太快，当型腔充满时，还有部分残余气体未能及时排出，而此时排气口已经被溢出料堵塞，最后残留气体在注塑压力的作用下，往往会被压缩而留在浇口附近。解决这种气孔缺陷的有效方法就是减慢注塑速度，适当降低预热温度，以使EMC在模具中的流动速度减缓；同时为了促进挥发性物质的逸出，可以适当提高模具温度。
（3）、内部气孔的形成原因主要是由于模具表面的温度过高，使型腔表面的EMC过快或者过早发生固化反应，加上较快的注塑速度使得排气口部位充满，以至于内部的部分气体无法克服表面的固化层而留在内部形成气孔。这种气孔缺陷一般多发生在大体积电路封装中，而且多出现在浇口端和中间位置。要有效的降低这种气孔的发生率，首先要适当降低模具温度，其次可以考虑适当提高注塑压力，但是过分增加压力会引起冲丝、溢料等其他缺陷，比较合适的压力范围是8～10Mpa。
在封装成形后，封装体的表面有时会出现大量微细小孔，而且位置都比较集中，看上去是一片麻点。这些缺陷往往会伴随其他缺陷同时出现，比如未充填、开裂等。这种缺陷产生的原因主要是料饼在预热的过程中受热不均匀，各部位的温差较大，注入模腔后引起固化反应不一致，以至于形成麻点缺陷。引起料饼受热不均匀的因素也比较多，但是主要有以下三种情况：
（1）、料饼破损缺角。对于一般破损缺角的料饼，其缺损的长度小于料饼高度的1／3，并且在预热机辊子上转动平稳，方可使用，而且为了防止预热时倾倒，可以将破损的料饼夹在中间。在投入料筒时，最好将破损的料饼置于底部或顶部，这样可以改善料饼之间的温差。对于破损严重的料饼，只能放弃不用。
（2）、料饼预热时放置不当。在预热结束取出料饼时，往往会发现料饼的两端比较软，而中间的比较硬，温差较大。一般预热温度设置在84－88℃时，温差在8～10℃左右，这样封装成形时最容易出现麻点缺陷。要解决因温差较大而引起的麻点缺陷，可以在预热时将各料饼之间留有一定的空隙来放置，使各料饼都能充分均匀受热。经验表明，在投料时先投中间料饼后投两端料饼，也会改善这种因温差较大而带来的缺陷。
（3）、预热机加热板高度不合理，也会引起受热不均匀，从而导致麻点的产生。这种情况多发生在同一预热机上使用不同大小的料饼时，而没有调整加热板的高度，使得加热板与料饼距离忽远忽近，以至于料饼受热不均。经验证明，它们之间比较合理的距离是3－5mm，过近或者过远均不合适。
在封装成形时，EMC呈现熔融状态，由于具有一定的熔融黏度和流动速度，所以自然具有一定的冲力，这种冲力作用在金丝上，很容易使金丝发生偏移，严重的会造成金丝冲断。这种冲丝现象在塑封的过程中是很常见的，也是无法完全消除的，但是如果选择适当的黏度和流速还是可以控制在良品范围之内的。EMC的熔融黏度和流动速度对金丝的冲力影响，可以通过建立一个数学模型来解释。可以假设熔融的EMC为理想流体，则冲力F＝KηυSinQ，K为常数，η为EMC的熔融黏度，υ为流动速度，Q为流动方向与金丝的夹角。从公式可以看出：η越大，υ越大，F越大；Q越大，F也越大；F越大，冲丝越严重。
要改善冲丝缺陷的发生率，关键是如何选择和控制EMC的熔融黏度和流速。一般来说，EMC的熔融黏度是由高到低再到高的一个变化过程，而且存在一个低黏度期，所以选择一个合理的注塑时间，使模腔中的EMC在低黏度期中流动，以减少冲力。选择一个合适的流动速度也是减小冲力的有效办法，影响流动速度的因素很多，可以从注塑速度、模具温度、模具流道、浇口等因素来考虑。另外，长金丝的封装产品比短金丝的封装产品更容易发生冲丝现象，所以芯片的尺寸与小岛的尺寸要匹配，避免大岛小芯片现象，以减小冲丝程度。）
在封装成形的过程中，粘模、EMC吸湿、各材料的膨胀系数不匹配等都会造成开裂缺陷。
对于粘模引起的开裂现象，主要是由于固化时间过短、EMC的脱模性能较差或者模具表面玷污等因素造成的。在成形工艺上，可以采取延长固化时间，使之充分固化；在材料方面，可以改善EMC的脱模性能；在操作方面，可以每模前将模具表面清除干净，也可以将模具表面涂上适量的脱模剂。对于EMC吸湿引起的开裂现象，在工艺上，要保证在保管和恢复常温的过程中，避免吸湿的发生；在材料上，可以选择具有高Tg、低膨胀、低吸水率、高黏结力的EMC。对于各材料膨胀系数不匹配引起的开裂现象，可以选择与芯片、框架等材料膨胀系数相匹配的
在封装成形的过程中，溢料又是一个常见的缺陷形式，而这种缺陷本身对封装产品的性能没有影响，只会影响后来的可焊性和外观。溢料产生的原因可以从两个方面来考虑，一是材料方面，树脂黏度过低、填料粒度分布不合理等都会引起溢料的发生，在黏度的允许范围内，可以选择黏度较大的树脂，并调整填料的粒度分布，提高填充量，这样可以从EMC的自身上提高其抗溢料性能；二是封装工艺方面，注塑压力过大，合模压力过低，同样可以引起溢料的产生，可以通过适当降低注塑压力和提高合模压力，来改善这一缺陷。由于塑封模长期使用后表面磨损或基座不平整，致使合模后的间隙较大，也会造成溢料，而生产中见到的严重溢料现象往往都是这种原因引起的，可以尽量减少磨损，调整基座的平整度，来解决这种溢料缺陷。
封装成形粘模产生的原因及其对策：A、固化时间太短，EMC未完全固化而造成的粘模，可以适当延长固化时间，增加合模时间使之充分固化；B、EMC本身脱模性能较差而造成的粘模只能从材料方面来改善EMC的脱模性能，或者封装成形的过程中，适当的外加脱模剂；C、模具表面沾污也会引起粘模，可以通过清洗模具来解决；D、模具温度过低同样会引起粘模现象，可以适当提高模具温度来加以改善。
总之，塑封成形的缺陷种类很多，在不同的封装形式上有不同的表现形式，发生的几率和位置也有很大的差异，产生的原因也比较复杂，并且互相牵连，互相影响，所以应该在分别研究的基础上，综合考虑，制定出相应的行之有效的解决方法与对策
文章出处：【微信号：weixin21ic，微信公众号：21ic电子网】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
全电波暗室减小了外界电磁波信号对测试信号的干扰，同时电磁波吸波材料可以减小由于墙壁和天花板的反射对测....
为了保证设计的PCB板具有高质量和高可靠性，设计者通常要对PCB板进行热温分析，机械可靠性分析。由于....
LED电源的EMC设计在整个产品研发过程中都是非常重要的一环，这种电磁兼容性研究涵盖了电磁干扰和敏L....
现在，在电子产品的设计中，功耗己成为一个很重要的指标，开关电源也因高效、小型等特性而被越来越得到广泛....
随着信息化社会的发展，越来越多的电子产品经常在一起工作，它们之间的干扰也越来越严重，所以，电磁兼容（....
较高的时钟速率会加大满足电磁兼容性需求的难度。在千兆赫兹领域，机壳谐振次数增加会增强电磁辐射，使得孔....
伺服驱动器是集强电和弱电，数字和模拟信号于一体的电能变换装置，不可避免的存在电磁干扰问题。尤其201....
EMC（Electromagnetic Compatibility）是电磁兼容，它包括EMI（电磁骚....
抑制辐射骚扰的最好方法还是重新对PCB的设计进行修正并重新合理设计，但在我们在实际工作中也经常发现，....
随着微孔和单片高密度集成系统等新硬件技术的应用，自由角度布线D布局布线等新型软件将会成....
常见的ESD试验等级为接触放电：1级——2KV；2级——4KV；3级——6KV；4级——8KV；空气....
混合信号电路PCB的设计很复杂，元器件的布局、布线以及电源和地线的处理将直接影响到电路性能和电磁兼容....
在现代电子设计中EMI是一个主要的问题。为抗干扰，设计者要么除掉干扰源，要么保护受影响的电路，最终的....
简介 射频(RF)放大器可采用引脚架构芯片级封装(LFCSP)和法兰封装，通过成熟的回流焊工艺安装在....
BGA是smt加工中很多高精密的电路板都会出现的最小焊点封装，而BGA那么小，我们锡膏量要控制以外，....
利用仿真手段验证串行链路信道是非常重要的。在非理想信道中，仿真需要包含成千上万个位的变化。工程师可以....
RECOM Power发布了SMD封装的RPM系列高性能开关稳压器。这些稳压器模块采用LGA-25阵....
磁珠（Ferrite bead）的等效电路是一个DCR电阻串联一个电感并联一个电容和一个电阻。DCR....
POC（Power Over Coaxial）同轴缆供电技术，利用同轴电缆整合视频传输与直流供电功能....
在PCB的EMC设计考虑中，首先涉及的便是层的设置；单板的层数由电源、地的层数和信号层数组成；在产品的EMC设计中，除了...
本文全面讲解有关电磁干扰的存在方式、类型、对设备工作的影响、屏蔽方法、EMC] 电磁干扰（EMI），有传导干扰和辐射干扰两...
电磁干扰（Electromagnetic Interference，简称EMI）是破坏性电磁能从一个....
要做高功率设计，需要选择合适的IGBT，并在此基础上合理设计和应用IGBT。本文从介绍IGBT选型的....
本文档的主要内容详细介绍的是P-SCAN接口EMC设计标准电路图免费下载。
辐射干扰是指干扰源通过空间把其信号耦合（干扰）到另一个电网络。在高速PCB及系统设计中，高频信号线、....
EMI是指电子产品工作会对周边的其他电子产品造成干扰，与此关联的还有EMC规范。
根据IPAS的定义，MCM技术是将多个LSI/VLSI/ASIC裸芯片和其它元器件组装在同一块多层互....
本文档的主要内容详细介绍的是RS232接口EMC设计标准电路图免费下载。
车载电子系统过于敏感易导致操作失灵，依靠传统经验进行电磁兼容（EMC）实物测试和研发已无法满足市场飞....
本文档的主要内容详细介绍的是DC24V接口EMC设计标准电路图免费下载。
说起开关电源的难点问题，PCB布板问题不算很大难点，但若是要布出一个精良PCB板一定是开关电源的难点之一（PCB设计不...
本文档的主要内容详细介绍的是几种常见的通讯电路的EMC设计电路图和讲解免费下载包括了：DC24V接口....
为了更好地了解噪声是如何产生的，航空电子设备和航空航天工程师已经研究了与EMI相关的问题，并确定了可....
对于以下基本概念的理解非常重要，掌握有关设计的基本概念，有助于理解后面制定得很严格的布局和布线设计规....
初款iPhone SE 2搭载4.7英寸显示屏，颀邦科技获COF封装订单
根据消息报道，苹果除了在今年年初推出iPhone SE 2之外，还可能在今年年底或明年年初推出第二版....
小型化、多功能化一直是电子元器件封装技术发展的目标。随着电子元器件封装技术的发展，电子组装技术也经历....
本文档的主要内容详细介绍的是关于PCB布板相关规则和理论，解决信号完整性问题。
COB（ Chip On Board）是指将裸芯片直接贴在PCB上，然后用铝线或金线进行电子连接，检....
电阻的作用：①限流作用 ②分压作用 ③电阻还有将电能转化为内能的作用 ④电阻的分流作用
作为一个寻求运算放大器（op amp）的设计工程师，可以有很多选择。另外，随着如今生产周期不断缩短，....
从上面的三要素中，我们对EMI的传播路径：空间耦合和传导耦合比较熟悉;我们实际也是重点在运用上述的理....
区分模拟和数字部分的目的是为了抗干扰，主要是数字电路对模拟电路的干扰。但是，分割可能造成信号回流路径....
兆易创新：首款DRAM芯片2021年完成客户验证，将于2025年实现量产
此前，兆易创新发布非公开发行A股股票预案，公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64，2....
屏蔽是一种用于通过阻止源射频（RF）噪声传输来控制EMI的技术，与铅和混凝土用作核辐射屏蔽的方式类似....
PQFN封装底部大面积暴露的热焊盘提供了可靠的焊接面积，PCB底部必须设计与之相对应的热焊盘及传热过....
电磁兼容性（EMC）是指设备或系统在电磁环境中符合要求运行并不对其环境中的任何设备产生无法忍受的电磁....
Lumileds发布了新的Luxeon V大功率封装LED，可以驱动至15W的水平，并针对各种高流明....
本规范规定了结构件电磁兼容设计（主要是屏蔽和接地）的设计指标、设计原则和具体设计方法。
主要是介绍设计过程中一些EMC注意的点，毕竟实用，初学者可以看看，了解下。...
L78S系列的三端正调压器有TO-220封装和几个固定输出电压，因此在广泛的应用中非常有用。这些监管....
英特尔首款Xe显卡DG1性能搭载GDDR6显存，难满足25W的封装TDP
根据消息报道，有消息称英特尔的首款Xe显卡“DG1”性能仅比即将推出Tiger Lake搭载的“Xe....
于燮康认为，如今我国设计业总体处于中低端水平，细分领域虽有亮点，但制造、材料和设备水平都远落后国际水....
大神门，谁知道充电器出口澳大利亚，是需要做EMC测试吗，按那个标准测试的，我是多插座产品，里面带了一个这样的电路。望大神...
各位专业人士你们好，我是沈阳一家医疗器械的工作人员，近期我们在设备EMC整改方面遇到了一些问题，想征求专业人士的意见，必...
由于互联网巨头数据中心内部流量每年增长幅度接近100%，不少部署数据中心较早的互联网巨头，会谋求尽快获得200G，但也有不少企业...
这两种程序我都见过，但不知道为什么同样是调用DLL文件，会有不同的方法，我看网上调用C#做的DLL都是用构造器节点，难道是...
ABA-52563是一款通用5V硅宽带RFIC放大器，采用工业标准SOT-363（6引脚SC70）封装。该器件具有高增益，良好的线 GHz的平坦宽带频率响应。特性 在2GHz时，ABA-52563的增益为21dB，OIP3高达在5V / 34mA偏置时，20dBm和10dBm的P1dB。内部输入和输出50欧姆匹配使其易于使用，设计工作量很小，使其成为无线通信市场中频，缓冲和通用放大器的绝佳选择。
MGA-31389是一款0.10W高增益驱动放大器MMIC，适用于50 MHz至2.0 GHz的应用，采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一，具有高线性度，高增益，出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31389是一款0.10W增益模块解决方案，针对频率进行了优化，可提供卓越的RF性能。这个高增益0.10W增益模块系列有2个器件。 MGA-31389适用于50 MHz至2.0 GHz的应用，而MGA-31489适用于1.5 GHz至3.0 GHz，因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM，CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场，并可选择输出功率。这些器件还具有高增益，可以减少所需的RF级总数。 特点 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率时的高IP3 高增益，增益平坦度好 低噪声图 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的一致性非常好 SOT-89标准包...
ABA-53563是一款通用型5V硅宽带RFIC放大器，采用工业标准SOT-363（6引脚SC70）封装。该器件具有高增益，良好的线 GHz的扁平宽带频率响应。特性 在2GHz时，ABA-53563可提供21dB的增益，OIP3可达到5V / 45mA偏置时，23dBm和P1dB为13dBm。内部输入和输出50欧姆匹配使其易于使用，设计工作量很小，使其成为无线通信市场中频，缓冲和通用放大器的绝佳选择。
MGA-31289是一款0.25W高增益驱动放大器MMIC，适用于1.5 GHz至3.0 GHz的应用，采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一，具有高线性度，高增益，出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31289是一款0.25W增益模块解决方案，针对频率进行了优化，可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模块系列有2个器件。 MGA-31189适用于50 MHz至2.0 GHz的应用，而MGA-31289适用于1.5 GHz至3.0 GHz，因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM，CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场，并可选择输出功率。这些器件还具有高增益，可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏压时的高线性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪声图 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包装...
MGA-30889 40MHz - 2600MHz平坦增益高线性度增益模块
MGA-30689是宽带，平坦增益，高线性度 通过使用Broadcom的专有0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺实现增益模块MMIC放大器。 该器件需要简单的直流偏置元件才能实现宽带宽性能。 特性 高线性度 产品规格的优异均匀性 内置温度补偿内部偏置电路 不需要 RF 匹配组件 标准 SOT89 封装 MSL-2和无铅无卤素 用于基站应用的高MTTF 应用 中频放大器，射频驱动放大器 通用增益模块
MGA-82563 3V驱动器放大器，17dBm P1dB，低噪声，0.1-6GHz，SOT363（SC-70）
MGA-82是3V器件，具有17dBm P1dB。它采用微型SOT-363封装，专为3V驱动放大器应用而设计。偏压：3V，84mA;增益= 13dB; NF = 2.2dB; P1dB = 17.3dBm;所有2GHz的IP3i = 14dB。
MGA-31589是一款0.5W高增益驱动放大器MMIC，适用于450 MHz至1.5 GHz的应用，采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一，具有高线性度，高增益，出色的增益平坦度和低功耗特性。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率下的高线性度 高增益 低噪声图 高OIP3 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包
MGA-87563 3V LNA，4.5mA低电流，0.5-4GHz，SOT363（SC-70）
MGA-87是一款3V器件，在低至4.5GHz的低电流下具有低噪声系数。它采用微型SOT-363封装，专为3V低噪声放大器应用而设计。偏压：3V，4mA;增益= 14dB; NF = 1.5dB; P1dB = 0dBm; IP3i = -4均为2GHz。
MGA-31489是一款0.10W高增益驱动放大器MMIC，适用于1.5 GHz至3.0 GHz的应用，采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一，具有高线性度，高增益，出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31489是一款0.10W增益模块解决方案，针对频率进行了优化，可提供卓越的RF性能。这个高增益0.10W增益模块系列有2个器件。 MGA-31389适用于50 MHz至2.0 GHz的应用，而MGA-31489适用于1.5 GHz至3.0 GHz，因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM，CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场，并可选择输出功率。这些器件还具有高增益，可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置电源下的高IP3 高增益，增益平坦度好 低噪声图 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的优异均匀性 SOT- 89标准包...
Broadcom MGA-30116是一种高线; Watt PA具有良好的OIP3性能，在p1dB增益压缩点具有极佳的PAE，通过使用Broadcom专有的0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺。 特性 高线dB 在负载条件下无条件稳定 内置可调温度补偿内部偏置电路 GaAs E-pHEMT技术[1] 标准QFN 3X3封装 5V电源 产品规格的均匀性非常好 可提供卷带包装选项 MSL-1和无铅 点MTTF
120°时的300年; C通道温度 应用 用于GSM / CDMA基站的A类驱动放大器。 通用增益块。...
Broadcom的MGA-81563是一款经济实惠，易于使用的GaAs MMIC放大器，可为应用提供出色的功率和低噪声等特性从0.1到6 GHz。 MGA-81563采用超小型SOT-363封装，占用SOT-143封装的一半电路板空间，专为3V驱动放大器应用而设计。 功能 可用无铅选项 2.0 GHz时+14.8 dBm P1dB 2.0 GHz时+17 dBm Psat 单+ 3V电源 2.8 dB噪声系数2.0 GHz 12.4 dB增益2.0 GHz 超小型封装 无条件稳定 应用程序 用于PCS，PHS，ISM，SATCOM和 WLL应用程序的缓冲区或驱动程序放大器 高动态范围LNA...
MGA-545P8 适用于5-6GHz系统的低电流22dBm中等功率放大器，适用于LPCC2x2
MGA-545P8是一款经济实惠，易于使用的GaAs E-pHEMT MMIC中功率放大器，采用8引脚LPCC（JEDEC DFP-N）封装，非常适合用作802.11a网卡和AP中的驱动放大器，以及5-6GHz固定无线接入的输出放大器。虽然针对5.8GHz应用进行了优化，但该器件在1-6 GHz频率范围内具有出色的RF性能，功效和产品一致性。 通过简单的输入匹配，MGA-545P8提供饱和功率输出为22dBm，5.8GHz时饱和增益为9.5dB，直流偏置仅需3.3V / 92mA，功率附加效率为46％。在线dBm线性Pout的小信号增益，满足5.6％EVM。特性 热效封装尺寸仅为2mm x 2mm x 0.75mm。其背面金属化提供了出色的散热性能以及焊料回流的可视证据。该器件的点MTTF超过300年，安装温度为85 o C....
MGA-30789是一个宽带，高线性度 增益模块MMIC放大器使用Broadcom的专有0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺。 该器件需要简单的直流偏置元件才能实现宽带宽性能。 特性 高线性度 产品规格的优异均匀性 内置温度补偿内部偏置电路 不需要 RF 匹配组件 标准 SOT89 封装 MSL-2和无铅无卤素 用于基站应用的高MTTF 应用 射频驱动放大器 通用增益模块
MGA-31189是一款0.25W高增益驱动放大器MMIC，适用于50 MHz至2.0 GHz的应用，采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一，具有高线性度，高增益，出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31189是一款0.25W增益模块解决方案，针对频率进行了优化，可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模块系列有2个器件。 MGA-31189适用于50 MHz至2.0 GHz的应用，而MGA-31289适用于1.5 GHz至3.0 GHz，因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM，CDMA和UMTS加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场，并可选择输出功率。这些器件还具有高增益，可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率下的极高线性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪声图 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包装...
MGA-621P8是一款经济实惠，易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器（LNA）器件。该器件设计用于700 MHz至1.5 GHz频率范围内的最佳使用，并采用微型2.0x2.0x0.75mm 3 8引脚双扁平无引线（ DFN）封装。 特性 高线性性能 低噪声系数 低成本小封装尺寸 集成断电控制引脚 应用 用于小型蜂窝基站应用的LNA 其他低噪声射频应用
MGA-725M4 具有旁路开关的3V LNA，2至14dBm可调节IIP3，MiniPak封装
MGA-725M4是一款低噪声放大器，内置旁路开关，采用微型无引线封装。它采用MiniPak 1412封装，专为3V蜂窝/ PCS应用而设计，例如： CDMA手机中的LNA和驱动放大器。偏压：3V，20mA;增益= 14.4dB; NF = 1.4dB;所有2GHz的IP3i = 9.9dBm。
Broadcom MGA-634P8是一款经济，易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器（LNA），通过使用Broadcom专有的0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺实现了低噪声和高线低噪声放大器是Broadcom超低噪声，高增益，高线性度砷化镓（GaAs）低噪声放大器系列的最新成员，旨在用作蜂窝基站收发器无线电的第一级LNA卡，塔顶放大器（TMA），合路器，中继器和远程/数字无线高线性低噪声放大器特点： 1500 MHz到2300 MHz操作 同类最佳NF：0.44 dB @ 1900 MHz 高线 高增益：17.4 dB 21 dBm OP1dB @ 1900 MHz 单5V电源和48mA低功耗 240 mW Broadcom&rs的通用封装和匹配网络现状MGA-63xP8系列 简化不同频率的PCB设计和工程 功能 Ultra Low noise Figure 高线性性能 GaAs E-pHEMT技术 低成本小封装尺寸：2.0x2.0x0.75mm 3 产品规格的优异均匀性 可提供卷带包装选项 应用 低噪音用于GSM，TDS-CDMA和CDMA蜂窝基础设施的放大器 其他超低噪声应用...
Broadcom ALM-2203是一款微型高度集成的LNA滤波器RFIC模块。该模块旨在使卫星数字音频无线电服务（SDARS）信号与现代汽车中常见的蜂窝，WiFi，蓝牙和GPS信号共存。 该模块集成了三个低噪声放大器（LNA）采用微型5x5x0.95mm封装的Film Bulk Acoustic Resonator（FBAR）滤波器。该模块具有低噪声系数，高增益和低电流消耗，非常适用于关键的低功耗卫星数字音频无线电服务（SDARS）无线电系统。 功能 高级OOB P1dB，支持SDARS与蜂窝/ WiFi / GPS共存 高度集成的芯片模块，降低BOM成本和设计时间 低噪声系数（NF）增强SDARS接收器灵敏度 适用于带集成蜂窝/ WiFi发射器的SDARS天线mm适用于鲨鱼的包装-fin型天线 应用程序 SDARS Radio系统 ...
MGA-86563 5V LNA，20dB高增益，0.5-6GHz，SOT363（SC-70）
MGA-86是5V部件，具有高增益和低噪声系数。它采用微型SOT-363封装和70 mil陶瓷封装，专为5V低噪声放大器应用而设计。偏压：5V，16mA;增益= 20dB; NF = 2dB; P1dB = 6dBm; IP3i = -4dB均为2GHz。
MGA-71543 带旁路开关的3V LNA，0至9dBm可调节IIP3，SOT343（SC-70）
MGA-71543是一款内置旁路开关的低噪声放大器。它采用微型SOT-343封装，专为3V蜂窝/ PCS应用而设计，例如： CDMA手机中的LNA和驱动放大器。偏置3V，10mA：增益= 16dB; NF = 1.1dB;所有在2GHz时IIP3 = 4.3dB。在旁路模式下：插入损耗= 5.6dB; IIP3 = 35dBm。
诸葛计划