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贴片电阻怎么焊接_贴片焊接的注意事项

  1、先在所需焊接的焊盘上涂上一层松香水。注意,所涂部位只需薄薄一层松香水即可,不益过多,否则会留下助焊剂残留物,影响清洁度,拒绝通过。当助焊剂残留物过多时可用棉签蘸取

  2、先预热再上锡。烙铁与焊接面一般应倾斜45度。接触压力:烙铁头与被焊件接触时应略施压力,热传导强弱与施加压力大小成正比,但以对被焊件表面不造成损伤为原则。

  注意:在加热焊盘与焊锡丝供给之间时间控制在1S以内,加热时间切勿过长,以免引起焊盘起翘,损坏焊盘。

  3、加焊锡。原则上是被焊件升温达到焊料的熔化温度是立即送上焊锡丝。注意:在焊锡丝供给与加热焊锡丝之间时间控制在1S以内,加热时间切勿过长,以免损坏焊盘。动作应当快速、连贯。如加热时间过长,焊点表面容易老化或形成锡渣,焊锡容易拉尖,焊点没有光泽。如加热时间过短,影响焊锡不润湿,表面不光滑,有气泡、针孔或造成冷焊。

  5、去烙铁。动作应快速连贯,以一个焊点1S为合适,时间过长焊点表面容易老化或形成锡渣,焊锡容易拉尖,焊点没有光泽。

  注意:焊盘上的锡量,不易过多,在贴片焊接不熟练的情况下,可将其焊点视为起固定作用。因此,其焊点锡量不易过多,焊接时间不易过长。还应避免和相临焊盘桥接。

  6、应用扁口防滑镊子或防静电镊子夹取贴片电阻。用镊子夹住需焊接元件的中间部位把元件放到焊盘一侧,调整好焊接位置,调整好贴片电阻的焊接方向,遵循标称值读取方向与丝印标号方向一致。用镊子夹住元件时用力需适当, 不能过于用力,防止元件损坏或飞溅。准备下一步工序。

  7、熔化焊点。焊点熔化时,同时进行下一步工序。加热焊点熔化时间不益过长,否则会引起焊点老化或形成锡渣,焊锡容易拉尖,焊点没有光泽。如加热时间过短,影响焊锡不润湿,表面不光滑,有气泡、针孔或造成冷焊。

  8、迅速把元件紧贴焊盘边缘并插入将其焊好。元件放入焊盘时必须紧贴主板的表面插入焊盘,并使元件处在整个安装位置的中间。

  9、当元件与焊盘之间的焊锡完全充分润湿后,抽去电烙铁。如果焊接结束发现焊点老化或毛刺、锡过多、过少都可以先不修改,等另一侧的焊接完成后再一起修改。

  11、参考IPC标准检查焊点。如果焊接完成后发现有倾斜或高低的现象时,注意不能用镊子顶住元件表面,将电阻下压,再用烙铁熔化焊点时把元件顶下去;这样操作,容易使元件在受到不均匀的外力下断裂。正确的操作是先把焊点熔化再用镊子夹住元件中间进行调整。

  12、参考IPC标准检查焊点,如有缺陷需修补或更换。去除元件方法:在两端焊点加锡,使两端焊点焊锡处于熔融状态,同时进行下一步工序。注意:锡量不能过多,防止流入其他焊盘。保持熔融状态

  14、用吸锡带吸除焊锡。将吸锡带放在焊点上,然后电烙铁加热吸锡带,使焊锡熔化后自动流向吸锡带,去除焊锡。

  15、用吸锡带将焊锡清理干净。注意:只需将焊锡清除干净即可,加热时间不益过长,过长也会损坏PCB或焊盘。

  贴片式电阻器电容器的基片大多采用陶瓷材料制作,这种材料受碰撞易破裂,因此在拆卸、焊接时应掌握控温、预热、轻触等技巧。控温是指焊接温度应控制在200~250C左右。预热指将待焊接的元件先放在100C左右的环境里预热1~2分钟,防止元件突然受热膨胀损坏。轻触是指操作时烙铁头应先对印制板的焊点或导带加热,尽量不要碰到元件。另外还要控制每次焊接时间在3秒钟左右,焊接完毕后让电路板在常温下自然冷却。以上方法和技巧同样适用于贴片式晶体二、三极管的焊接。

  贴片式集成电路的引脚数量多、间距窄、硬度小,如果焊接温度不当,极易造成引脚焊锡短路、虚焊或印制线路铜箔脱离印制板等故障。拆卸贴片式集成电路时,可将调温烙铁温度调至260C左右,用烙铁头配合吸锡器将集成电路引脚焊锡全部吸除后,用尖嘴镊子轻轻插入集成电路底部,-边用烙铁加热,一边用镊子逐个轻轻提起集成电路引脚,使集成电路引脚逐渐与印制板脱离。用镊子提起集成电路时一定要随烙铁加热的部位同步进行,防止操之过急将线路板损坏。

  换入新集成电路前要将原集成电路留下的焊锡全部清除,保证焊盘的平整清洁。然后将待焊集成电路引脚用细砂纸打磨清洁,均匀搪锡,再将待焊集成电路脚位对准印制板相应焊点,焊接时用手轻压在集成电路表面,防止集成电路移动,另一只手操作电烙铁蘸适量焊锡将集成电路四角的引脚与线路板焊接固定后,再次检查确认集成电路型号与方向,正确后正式焊接,将烙铁温度调节在250C左右,一只手持烙铁给集成电路引脚加热,另一只手将焊锡丝送往加热引脚焊接,直至全部引脚加热焊接完毕,最后仔细检查和排除引脚短路和虚焊,待焊点自然冷却后,用毛刷蘸无水酒精再次清洁线路板和焊点,防止遗留焊渣。

  检修模块电路板故障前,宜先用毛刷蘸无水酒精清理印制板,清除板上灰尘、焊渣等杂物,并观察原电路板是否存在虚焊或焊渣短路等现象,以及早发现故障点,节省检修时间。

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  LM45系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏(摄氏)温度成线不需要任何外部校准或微调,即可在室温下提供2C的精度,在整个-20至+ 100C的温度范围内提供3C的精度。通过晶圆级的修整和校准确保低成本。 LM45的低输出阻抗,线性输出和精确的固有校准使得与读出或控制电路的接口特别容易。它可以与单个电源一起使用,也可以与正负电源一起使用。由于它的电源消耗仅为120A,因此自然发热非常低,静止空气中的自热温度低于0.2C。 LM45的额定工作温度范围为-20至+ 100C。 特性 直接以摄氏度(摄氏度)校准 线 mV /C比例因子3C精度保证 额定为-20至+ 100C范围 适用于远程应用 由于晶圆造成的低成本-Llevel Trimming 工作电压范围为4.0V至10V 电流消耗小于120 低自热,静止空气中为0.20C 非线C最大温度 低阻抗输出,20 mA...

  LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1,工作电流范围为400A至5 mA,性能几乎没有变化。在25C下校准时,LM135在100C温度范围内的误差通常小于1C。与其他传感器不同,LM135具有线的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55C至150C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55C至150C,而LM235工作温度范围为?? 40 C至125C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40C至100C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度 1C初始准确度 工作电流范围为400A至5 mA 小于1动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 C超范围 低成本 ...

  LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 C至+ 75C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:4.5V至18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

  LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

  LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需½谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁

  总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率


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